“數字制造，智享未來”| 聯蕓科技攜最新產品亮相中國（蘇州）電子信息博覽會

2021年11月18日至11月20日，第二十屆中國(蘇州)電子信息博覽會在蘇州開展；該博覽會自2002年起至今，成功舉辦了19屆，已成為國內知名的電子信息專業展之一；本屆會議以“數字制造，智享未來”為主題，吸引了電子智能制造、光電、半導體及印制電路板設備、電動汽車供應鏈、智慧安防、新一代信息技術應用等領域300多家的知名企業參展，并同期舉辦10多場次專業論壇及研討會，預計將吸引專業觀眾數以十萬計。

中國（蘇州）電子信息博覽會

在此次電子信息博覽會上，聯蕓科技展出了包括SATA接口存儲管理芯片、PCIe3.0接口存儲管理芯片、PCIe4.0接口存儲管理芯片、企業級專用存儲管理芯片、千兆以太網數據傳輸芯片、以及消費級、企業級、工業級固態硬盤解決方案，全方位展示了聯蕓科技在數據存儲管理芯片、數據傳輸芯片以及“turnkey”解決方案上的進步與創新。

聯蕓科技展臺

新品亮相：

存儲管理芯片新品1——MAP1202 固態硬盤控制芯片

該芯片采用PCIe(NVMe1.4)Gen3接口技術，支持DRAM-less架構，支持4K LDPC糾錯，擁有4-CH傳輸的高性能獨創的自適配NAND控制接口技術，可支持各類原廠推出的MLC、TLC及QLC閃存顆粒，速率高達1600MT/s，最大支持容量可達4TB；最高順序讀寫速度可達3500MB/s ,3200MB/s; 最高隨機讀寫速度可達600K IOPS ,600K IOPS；同時，該芯片支持L1.2極致低功耗以及最先進的安全協議，支持SM2、SM3、SM4、AES256、SHA256、RSA2048加解密安全算法及端到端的數據保護；可廣泛應用于臺式電腦、筆記本、工業電腦、車載設備、教育、醫療、電力等應用領域。

存儲管理芯片新品2——MAP1602 固態硬盤控制芯片

該芯片采用PCIe(NVMe2.0)Gen4接口技術，支持DRAM-less架構，支持4K LDPC糾錯，擁有4-CH傳輸的高性能獨創的自適配NAND控制接口技術，可支持各類原廠推出的MLC、TLC及QLC閃存顆粒，速率高達2400MT/s，最大支持容量可達4TB；最高順序讀寫速度可達7.2GB/s ,6.5GB/s; 最高隨機讀寫速度可達1000K IOPS ,800K IOPS；同時，該芯片最先進的安全協議，支持SM2、SM3、SM4、AES256、SHA256、RSA2048加解密安全算法及端到端的數據保護，兼容TCG-opal2.0；可廣泛應用于臺式電腦、筆記本、工業電腦、車載設備、教育、醫療、電力等應用領域。

存儲管理芯片新品3——MAS1101 企業級專用固態硬盤控制芯片

該芯片采用SATA3.2接口技術，支持DRAM架構，支持4K LDPC糾錯，擁有8-CH傳輸的高性能獨創的自適配NAND控制接口技術，可支持各類原廠推出的MLC、TLC及QLC閃存顆粒，最大容量可達到8TB；最高順序讀寫速度可達560MB/s ,520MB/s；最高隨機讀寫速度可達100K IOPS ,90K IOPS；同時，該芯片支持最先進的安全協議，支持SM2、SM3、SM4、AES256、SHA256、RSA2048加解密安全算法及端到端的數據保護；可廣泛應用于服務器、存儲陣列、云和企業系統等應用領域。

存儲管理芯片“turnkey”解決方案

聯蕓科技針對消費級、工業級、企業級固態硬盤應用市場的特點，推出各類高性能、高可靠、高兼容、低成本的固態硬盤解決方案。采用聯蕓科技具有自主知識產權的固態硬盤控制芯片，搭配自主研發的DRAM或RAM-less架構固件設計，并嵌入獨創的SmartCache功能。同時具備聯蕓科技獨創閃存自適配專利技術，支持Intel、Kioxia、Micron、Samsung、SK Hynix、WD、YMTC（按字母順序排列）推出的全部NAND Flash閃存顆粒，滿足不同應用場景下的使用需求，為客戶提供更多選擇。

數據傳輸芯片新品——MAE0621千兆以太網收發器

除了存儲管理芯片和方案外，聯蕓科技本次還推出了數據傳輸芯片新品——MAE0621千兆以太網收發器。該芯片是一款是單端口高度集成的工業級千兆以太網收發器，符合10Base-T，100Base-TX和1000Base-T IEEE 802.3標準。通過標準RGMII接口連接到MAC，提供通過標準雙絞線電纜發送和接收數據所需的所有物理層功能；該芯片具有低功耗、小體積等優勢，可覆蓋臺式電腦、筆記本、IP攝像頭、樓宇自動化、工業設備、電信設備等場景的應用。

現誠邀您蒞臨第二十屆中國(蘇州)電子信息博覽會C館J49展位，感受聯蕓科技在存儲管理芯片和數據傳輸芯片上的設計新理念和技術創新，共話未來發展新機遇。